產(chǎn)品詳情
半導(dǎo)體芯片的制造可以分為制造準(zhǔn)備、制造過(guò)程兩個(gè)階段。哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L制造準(zhǔn)備階段需要做的工作包括集成電路設(shè)計(jì)、掩模板設(shè)計(jì)制造、硅片的制備、制造環(huán)境的創(chuàng)建。芯片制造過(guò)程包括的主要工藝有薄膜生成工藝(氧化、淀積)、圖形轉(zhuǎn)移工藝(光刻、刻蝕)、摻雜工藝(擴(kuò)散、離子注入)以及其他輔助工藝(熱處理哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L、清洗、CMP)等。芯片制造工藝設(shè)備按照工藝過(guò)程組成相應(yīng)的生產(chǎn)線。
1. 半導(dǎo)體芯片制造工藝
以64GbCOMS器件制造為例,整個(gè)工藝過(guò)程大約需要180個(gè)主要步驟、52個(gè)清洗/剝離步驟以及多達(dá)28塊掩模板。這些工藝步驟基本上都屬于上述四種基本工藝。如果集成電路的特征值進(jìn)一步減少時(shí),哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L需要的工藝步驟數(shù)將會(huì)增加到500或更多。