產(chǎn)品詳情
蘇州創(chuàng)芯奇半導(dǎo)體有限公司
IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功，率MOSFET 的結(jié)構(gòu)，十分相似，主要差異是IG，BT增加了P+ 基片和一，個N+ 緩沖層(，PT，-非穿通-IG，BT技術(shù)沒有，增加這個部分)。如等效，電路圖所示(圖1)，其中一個MOSF，ET驅(qū)動兩個雙極器件?；模瑧?yīng)用在管體的P+和 N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結(jié)。 當(dāng)正柵，偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時，一個N溝道形成，同時出現(xiàn)一個，電子流，并完全按照功率 MO，SFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果，這個電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi)，那么，J1將處于正向偏壓，，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi)，并調(diào)整陰陽，極之間的電阻率，這種方式，降低了功率導(dǎo)通的總損，耗，并啟動了第二個電荷流。最后的結(jié)果是，，在半導(dǎo)體，層次內(nèi)臨時，出現(xiàn)兩種不，同的電流拓?fù)洌阂粋€電，子流(MOS，F(xiàn)ET 電流)； 一個，空穴電流(雙極)
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整流二極管模塊：
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